메모리반도체 1위를 수성 중인 삼성전자가 초격차 기술력과 그 성과를 인정받았다.
삼성전자는 7일 메모리사업부의 ‘D1a 기술’이 서울 코엑스에서 열린 산업통상자원부 주관 ‘2022 대한민국 산업기술 R&D 대전’에서 대통령상을 받았다고 밝혔다. 이 상은 반도체ㆍ기계ㆍ바이오 등 대한민국 산업을 견인해온 혁신 기술을 선정에 수여한다.
D1a 기술은 세계 최초 최선단 14나노 기반의 고용량ㆍ초고속 D램이다. 멀티 EUV(극자외선) 기반 패터닝 기술과 새로운 셀 트랜지스터 및 캐패시터 소자를 적용했다.
특히 단일 패키지 내 최대 용량은 64GB, 모바일용 최고 속도는 8.5Gbps나 구현할 수 있어, 고용량ㆍ초고속이 요구되는 4차 산업혁명에서 중추적 역할을 수행할 것으로 전망된다.
삼성전자는 메모리사업부 대통령상 수상에 대해 “한계를 잊고 초격차 기술에 매달린 메모리사업부 D램 개발실 임직원들의 뛰어난 역량과 헌신적인 노력이 있었기에 가능했다”고 말했다.
메모리사업부는 D1a 양산을 위해 삼성전자 반도체 평택사업장에 차세대 프리미엄 10나노 4세대 D램 양산 라인을 새로 건축해 수천 명의 일자리를 창출했다. 또 소재와 부품, 장비 등 국내업체 성장을 견인해 국가 경제 발전에도 기여했다는 평가다.
이주영 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장 부사장은 “대한민국 기술을 대표하는 영광스러운 수상을 하게 돼 감사할 따름”이라며 “개발 과정에서 많은 어려움과 한계가 있었지만 참여한 모든 엔지니어가 함께해 극복할 수 있었다. 앞으로도 세계 1등 D램 전통을 이어갈 기술을 개발해 나가겠다”고 소감을 밝혔다.
이날 홍영기 글로벌제조&인프라총괄 파운드리 YE(수율개선)팀장 부사장도 동탑산업훈장을 수상했다. 업계 최초로 1억 화소 이미지 센서 양산화에 성공하고 5나노 시스템 반도체 양산에 성공한 공로를 인정받았다.
한편 이달 9일까지 대한민국 산업기술 R&D 대전에 마련된 삼성전자 전시공간에서는 △D1a(칩ㆍ패키지ㆍ웨이퍼ㆍ모듈) △V8(칩ㆍ패키지ㆍ웨이퍼) △컴퓨태이셔널 메모리(HBM-PIMㆍSmart SSD) 등의 메모리 제품을 볼 수 있다.