‘기술유출’ 삼성전자 前 수석연구원 기소…D램 반도체 적층조립기술 빼돌려

서울중앙지검 정보기술범죄수사부(이성범 부장검사)는 삼성전자 전(前) 수석연구원 이모(51) 씨를 산업기술보호법 위반, 부정경쟁방지법 위반(영업비밀 국외누설 등) 및 업무상 배임죄로 불구속 기소했다고 30일 밝혔다.

▲ 삼성전자가 반도체 업계 최초로 개발에 성공한 ‘32Gbps(1초당 전송되는 데이터 단위) GDDR7 D램’ 32Gbps GDDR7 D램을 그래픽 카드에 탑재하면 최대 초당 1.5TB(테라바이트)의 데이터를 처리할 수 있다. 이는 30GB(기가바이트) 용량의 UHD급 영화 50편을 1초 만에 처리할 수 있는 속도다. (사진 제공 = 삼성전자)

검찰에 따르면 이 씨는 D램 반도체를 제조하는 삼성전자에 재직하던 중인 지난해 3월부터 6월까지 외국 소재 반도체 관련 업체에 이직할 목적으로, D램 반도체 적층조립기술 등 국가핵심기술과 영업비밀을 개인 이메일로 전송해 유출한 혐의를 받는다.

이 씨가 유출한 자료에는 ‘D램 반도체 적층조립기술’ 등 국가핵심기술 13건과 ‘D램 반도체 사업화 전략 자료’ 등 각종 영업비밀 100여 건이 포함돼 있었다는 것이 검찰 설명이다.

검찰은 죄책에 상응하는 처벌이 이뤄질 수 있도록 공소유지에 만전을 기하는 한편, 향후에도 경제안보와 직결되는 기술유출 사범에 대해 엄정 대응하겠다는 방침이다.

국가 경쟁력을 약화하는 기술유출 범죄가 끊이지 않자, 최근 대법원 양형위원회는 기술유출 범죄에 대한 양형 기준을 신설하기로 했다.

양형위는 이달 8일 전체 회의에서 지식재산권 범죄 중 기술유출과 관련한 양형기준 수정안을 심의했다. 양형위는 산업기술보호법·국가첨단전략산업법·방위기술보호법 등에 규정된 기술유출 범죄에 관한 양형 기준을 추가로 설정한다.

신설되는 양형 기준은 새로운 범죄군(群)으로 분류되지는 않고 기존의 지식재산권 범죄군에 포함한다. 이에 따라 지식재산권 범죄의 양형 기준은 등록권리 침해, 저작권 침해, 영업비밀 침해, 산업기술 등 침해, 부정경쟁행위 총 5개로 나뉜다.

양형위는 앞으로 회의를 거쳐 기술유출 범죄에 대한 권고 형량 범위, 양형인자 등을 설정한 뒤 내년 3월 최종 의결할 예정이다.

박일경 기자 ekpark@