삼성전자-ASML, 차세대 메모리 개발한다… EUV 공동 연구소 설립

(연합뉴스)

양사는 12일(현지시간) 네덜란드 ASML 본사에서 진행된 한-네 반도체 협력 협약식에서 'EUV 공동 연구소 설립'에 관한 MOU 맺었다.

EUV 공동 연구소는 국내 수도권 지역에 건설될 예정으로 삼성전자와 ASML은 7억 유로 (약 1조 원)를 투자해 차세대 노광 장비 개발을 추진할 예정이다. 각 사 투자금은 공개되지 않았다.

ASML이 삼성전자와 MOU 체결을 한 것은 글로벌 메모리 반도체 1위 국가인 한국에 투자하는 것이 차세대 노광 기술 확보에 유리하다는 전략적 판단에 따른 것으로 풀이된다.

삼성전자도 이번 MOU를 통해 최첨단 메모리 개발에 필요한 차세대 EUV 양산 기술을 조기에 확보하고, 1993년부터 30년간 지켜 온 글로벌 메모리 반도체 1위의 위상을 굳건히 지켜나갈 계획이다.

▲2023년 1월 30일 네덜란드 벨트호벤에 있는 ASML 본사에 로고가 걸려 있다. 벨트호벤(네덜란드)/AP뉴시스

이번 공동 연구소 건립은 차세대 노광장비 개발에 대한 국내 생태계 조성과 성장에도 촉매제 역할을 할 것으로 기대된다.

반도체 업계 관계자는 "국내 설비소재 협력사의 성장과 반도체 인재 육성에도 기여할 것으로 기대되며, 이는 국가 반도체 경쟁력 확보로도 이어질 것"이라며 기대감을 나타냈다.

삼성성전자는 EUV를 통한 미세공정 혁신을 주도하고 있다. 디지털 트랜스포메이션 시대는 전자기기의 상호연결과 발생되는 방대한 데이터를 통해서 진화하고 있으며 데이터 처리량 역시 기하급수적으로 늘어날 수밖에 없다.

방대한 데이터를 처리해야 디지털 트랜스포메이션 시대는 차원이 다른 △고성능 △고용량 △저전력을 충족시키는 메모리 반도체를 요구한다. 이를 위해 전 세계 반도체 업계가 미세공정의 한계를 극복하기 위해 다양한 시도를 하고 있다.

▲19일 삼성전자 기흥캠퍼스를 찾은 이재용 회장이 차세대 반도체 R&D 단지 건설 현장을 점검하고 있다. (사진제공=삼성전자)

삼성전자는 지난 30년간 과감한 투자와 지속적인 기술혁신으로 미세공정의 한계를 돌파하고 있다.

차세대 반도체 구현을 위해서는 EUV 기술 확보가 핵심이라는 판단에 따라, 2000년대부터 ASML과 초미세 반도체 공정 기술 및 장비 개발 협력을 지속했다. 2012년에는 ASML 지분 투자를 통해 파트너십을 강화했다.

이를 통해 △업계 최초 EUV 공정 적용 D램 적용(2000년) △업계 최선단 14나노 D램 양산(2021년) △업계 최선단 12나노 D램(2023년) 등 성과를 거둔 바 있다.

삼성전자 관계자는 "이번 공동 연구소 설립을 통해 차세대 노광 장비를 조기에 적극적으로 도입하고 생산 비중도 확대해 메모리 미세공정 혁신을 주도해 나갈 계획"이라고 밝혔다.