삼성, 1년여 만에 ‘D램’ 흑자전환…반도체 적자 규모 ‘2조 원’대 축소

삼성전자 D램 사업이 약 1년여 만에 흑자로 전환됐다. 지난해 4분기 반도체를 담당하는 디바이스솔루션(DS)부문 적자 규모도 2조 원대로 줄었다. 본격적인 메모리 시장 반등이 시작됐다는 평가다.

삼성전자는 지난해 4분기 DS부문 매출액과 영업손실이 각각 21조6900억 원, 2조1800억 원으로 집계됐다고 31일 밝혔다.

지난해 1분기 4조5800억 원의 영업손실을 냈던 DS부문은 2분기 4조3600억 원, 3분기 3조7500억 원의 적자를 봤다. 4분기에는 손실이 2조 원대로 크게 감소한 것이다.

메모리는 고객사 재고가 정상화되는 가운데 PC 및 모바일 제품의 메모리 탑재량이 증가하고 생성형 AI 서버 수요가 증가하면서 전반적인 수요 회복세를 보였다.

삼성전자는 고부가가치 제품 판매를 확대하는 기조 아래 △HBM(High Bandwidth Memory) △DDR5(Double Data Rate 5) △LPDDR5X(Low Power Double Data Rate 5X) △UFS4.0(Universal Flash Storage 4.0) 등 첨단공정 제품 판매를 대폭 확대했다.

삼성전자 관계자는 “시장을 웃도는 비트 그로스(Bit Growth)를 기록했으며, D램은 재고 수준이 큰 폭으로 개선돼 4분기 흑자 전환을 달성했다”고 설명했다.

시스템LSI는 스마트폰 재고 조정이 마무리되면서 부품 구매 수요가 증가하고 '엑시노스 2400'이 주요 고객사 플래그십 모델에 적용되면서 3분기 대비 매출과 손익이 모두 개선됐다.

파운드리는 고객사 재고 조정과 글로벌 경기 회복이 지연되면서 시장 수요가 감소해 실적 부진이 지속됐으나 2023년 연간 최대 수주 실적 달성으로 미래 성장 기반을 공고히 했다.

또 3나노 및 2나노 GAA(Gate All Around) 기술을 지속 개발하고 첨단 공정 기반 사업을 확장해 고성능컴퓨팅(HPC) 중심으로 판매 비중 및 신규 수주가 증가했다.

지난해 4분기 DS부문 시설투자에는 14조9000억 원이 투입됐다. 연간으로는 48조4000억 원 규모로 지난해와 비슷한 수준이다.

메모리의 경우 4분기에도 중장기 수요 대응을 위한 클린룸 확보 목적의 평택 투자, 기술 리더십 강화를 위한 R&D 투자 확대와 함께 HBM/DDR5 등 첨단공정 생산 능력 확대를 위한 투자가 지속됐다.

파운드리는 EUV를 활용한 5나노 이하 첨단공정 생산 능력 확대와 미래 수요 대응을 위한 미국 테일러 공장 인프라 투자로 전년 대비 연간 투자가 증가했다.

삼성전자는 올해 1분기 메모리 시장 회복세가 지속할 것으로 관측했다.

삼성전자 관계자는 “메모리는 전분기에 이어 PC 및 모바일 수요 회복세가 지속될 것으로 전망되며 상대적으로 부진했던 서버 및 스토리지 수요도 회복될 것으로 기대된다”며 “업계 공급 측면에서는 첨단 제품의 비트 그로스 성장이 제한적일 것으로 예상되나 HBM3 및 서버용 SSD 중심 첨단 제품 수요에 적극 대응하며 수익성 개선에 집중할 계획”이라고 말했다.