SK하이닉스 “HBM 등 첨단 기술 개발로 국가 경쟁력 높여”…정부 포상 수상

▲제59회 발명의 날 기념식 포상에서 철탑산업훈장을 수상한 SK하이닉스 D램개발 담당 김종환 부사장(왼쪽)과 국무총리표창을 수상한 D램코어디자인 김웅래 팀장 (사진제공-SK하이닉스)

김종환 SK하이닉스 부사장(D램개발 담당)과 김웅래 팀장(D램코어디자인)이 각각 철탑산업훈장과 국무총리표창을 수상했다.

22일 SK하이닉스는 전날 서울 중구 대한상공회의소에서 열린 ‘제59회 발명의 날 기념식’에서 포상이 있었다고 밝혔다. 특허청은 매년 발명의 날(5월 19일)을 맞아 국가 산업 발전을 이끈 유공자들에게 정부 포상을 시행한다. 공적에 따라 산업훈장·산업포장·대통령표창·국무총리표창 등을 시상한다.

SK하이닉스 D램 기술 개발을 이끄는 김 부사장은 AI 메모리 개발 공적으로 철탑산업훈장을 수상했다.

김 부사장은 2021년부터 회사의 D램 개발을 총괄하면서 2022년 6월 AI 메모리인 HBM(고대역폭 메모리) 4세대 제품 HBM3 양산에 성공하고 지난해 8월에는 5세대 제품인 HBM3E를 개발했다.

또, 그는 메모리에 연산 기능을 더한 차세대 지능형 메모리인 PIM(Processing-In-Memory)을 개발하고, 메모리와 다른 장치들 사이에 인터페이스를 하나로 통합해 제품 성능과 효율성을 동시에 높여주는 CXL(Compute eXpress Link) 메모리를 개발하는 데도 기여한 것으로 평가받는다.

김 부사장은 “첨단 기술력 확보라는 큰 목표를 이루는 데 함께해 준 구성원들에게 감사의 뜻을 전한다”며 “SK하이닉스가 HBM3와 HBM3E 개발을 통해 글로벌 AI 메모리 시장을 선점하고 대한민국의 위상을 높였듯 차세대 AI 메모리 개발에도 박차를 가해 리더십을 이어 나가도록 노력하겠다”고 말했다.

국무총리표창을 수상한 김웅래 팀장은 D램 10나노급 미세공정에 도입되는 회로 관련 설계 기술을 개발해 제품 성능 향상과 원가 절감을 이루어낸 공로를 인정받았다.

그는 모바일용 저전력 D램인 LPDDR4와 LPDDR5의 초고속·저전력 동작 기술을 개발하고 핵심 특허를 출원해 국가 IP(지식재산) 확보에 기여한 점을 높이 평가받았다.

김 팀장은 “회사의 아낌없는 투자와 함께, 구성원들이 원팀(One Team) 마인드로 합심해준 덕분에 이룬 성과”라며 “앞으로도 D램 분야에서 선도적인 기술력을 갖출 수 있도록 최선을 다할 것”이라고 소감을 밝혔다.