SK하이닉스 “HBM3E 수율 80%에 거의 도달”

입력 2024-05-22 15:33

권재순 수율 팀장 “결함 없이 생산되는 목표 수율에 근접”

▲SK하이닉스 'HBM3E' (자료제공=SK하이닉스)

SK하이닉스의 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 수율이 80%에 근접한 것으로 파악됐다.

22일 파이낸셜타임스에 따르면 권재순 SK하이닉스 수율 팀장은 인터뷰를 통해 "HBM3E 생산에 필요한 시간을 50% 단축할 수 있었다"며 "HBM3E가 결함 없이 생산되는 목표 수율인 80%에 거의 도달했다"고 밝혔다.

권 팀장은 이어 “올해 우리의 목표는 8단 HBM3E 생산에 주력하는 것으로 고객들이 가장 원하고 있다”며 “인공지능(AI) 시대에서 앞서나가기 위해서는 수율을 높이는 것이 더욱 중요해지고 있다”고 말했다.

HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 TSV(실리콘관통전극)로 연결한 차세대 메모리다. HBM3E는 5세대 HBM이다. 올해부터 본격적으로 상용화 궤도에 올랐다.

그간 관련 업계에서는 SK하이닉스의 HBM3E 수율이 60~70% 안팎으로 추정했다. 그러나 SK하이닉스가 이번 인터뷰를 통해 80%에 달한다는 점을 공식적으로 밝힌 셈이다.

앞서 곽노정 사장은 2일 경기도 이천 본사에서 진행된 기자간담회를 통해 “시장 리더십을 더욱 확고히 하기 위해 세계 최고 성능 HBM3E 12단 제품의 샘플을 5월에 제공하고, 3분기 양산 가능하도록 준비 중”이라고 밝힌 바 있다.