박명재 SK하이닉스 부사장 "HBM 개발에 경쟁사 도움 하나도 없어…리더십 지킬 것"

▲박명재 SK하이닉스 HBM설계 담당 부사장 (자료제공=SK하이닉스)

박명재 SK하이닉스 HBM설계 담당 부사장은 27일 SK하이닉스 뉴스룸 인터뷰에서 자사의 HBM 개발과 관련해서 항간에 떠돌던 루머에 관해 이같이 말했다. 최근 업계에서는 SK하이닉스의 HBM 설계 조직에 삼성전자 등 경쟁사 인력이 투입돼 개발에 일조했다는 이야기가 나왔는데 이를 공식적으로 일축한 것이다.

박 부사장은 "온전히 우리 힘으로 기술 개발을 해낸 당사 구성원들로서는 자존심에 상처를 받을 수밖에 없었다"며 "우리 기술력이 그만큼 대단하기에 헛된 루머가 돌 정도로 유명세를 치렀다고 생각하며, 앞으로도 우위를 지키기 위해 더욱 노력하겠다"고 말했다.

박 부사장은 HBM 사업 초기부터 개발에 참여해 현재 SK하이닉스가 시장 선두를 지키는 데 큰 공로를 했다는 평가를 받는다. 5일에는 이러한 공로를 인정받아 SK그룹 최고 영예인 ‘2024 SUPEX추구 대상’을 받았다.

그는 "2010년대 중후반 HBM설계 조직은 공공연히 오지로 불렸다. 사업에 대한 우려가 커지면서 업계에서는 비관론이 쏟아졌다"면서도 "우리는 HBM이 SK하이닉스 고유의 기술력을 보여줄 기회며, 최고의 제품만 개발하면 이를 활용할 서비스는 자연스레 생길 것이라고 확신했다"고 과거를 회상했다.

이어 "HBM2E부터는 외부 기대치보다 훨씬 높은 수준을 목표로 잡고 협업을 강화했다"며 "MR-MUF(대랑 칩 접합 몰딩방식), HKMG(하이케이 메탈 게이트), Low-K IMD(저 유전율 금속층간 절연물질) 등 주요 요소 기술과 현재의 기틀이 된 설계 및 테스트 기술들이 모두 이때 기반을 다지게 됐다"고 덧붙였다.

SK하이닉스는 세계 최고 용량 12단 HBM3를 개발한 지 4개월 만인 2023년 8월 HBM3E를 공개하며 제품이 시장에 나오기까지 걸리는 시간을 획기적으로 단축시켰다. 박 부사장은 이 같은 성공 비결은 '성능, 품질, 시장 대응력'이라고 강조했다.

그는 "SK하이닉스의 HBM은 업계 최고의 속도, 성능을 갖췄다. 특히 여기에 적용된 당사 고유의 MR-MUF 기술은 고성능으로 인한 발열을 가장 안정적으로 줄여 세계 최고 성능 구현에 기여했다"며 "준수한 품질의 제품을 대량 생산하는 능력도 빠르게 갖추고, 고객 대응 수준은 타의 추종을 불허한다. 이러한 종합적인 경쟁 우위가 HBM3E를 명품 반열에 올렸다고 생각한다"고 말했다.

박 부사장은 HBM 외 차세대 AI 기술에 대한 자신감도 내비쳤다.

그는 "컴퓨트 익스프레스 링크(CXL), 프로세싱 인 메모리(PIM), 3D D램 등 다양한 AI 메모리 기술이 앞으로 새로운 기회를 창출할 것"이라며 "이러한 차세대 AI 메모리 분야에서도 선도 지위를 지킬 준비가 돼 있다"고 말했다.

이어 "앞으로도 HBM설계 조직은 현재에 안주하지 않고 구성원들과 오래도록 다져온 기술력과 협업 시스템을 믿고 혁신을 거듭할 것"이라며 "SK하이닉스가 전체 AI 산업을 이끄는 핵심 기업으로 성장하도록 노력하겠다"고 덧붙였다.