삼성전자ㆍSK하이닉스, 지난해 R&D 비용 신기록

입력 2019-04-02 09:00

한영대 기자 yeongdai@etoday.co.kr

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▲반도체 엔지니어가 생산설비를 점검하고 있다. (사진제공=삼성전자)

삼성전자와 SK하이닉스가 지난해 역대 최고치의 R&D(연구개발) 비용을 지출했다.

2일 업계에 따르면 삼성전자가 지난해 지출한 R&D 관련 비용(연결 기준)은 총 18조6600억 원으로 나타났다.

종전 최고 기록이었던 전년(16조8100억 원)보다 무려 11.0%나 증가한 수치다.

총 매출(243조7700억 원)에서 차지하는 비중도 7.65%에 달해 2003년(8.10%) 이후 최고치를 기록했다.

회사 측은 작년 사업보고서에서 주요 연구개발 성과로 △세계 최초의 차세대 스마트폰용 256기가바이트(GB)급 저장매체 UFS 양산 △세계 최초의 차세대 10나노급 8기가비트(Gb) DDR4 D램 양산 △세계 최고 속도의 5세대 V낸드 기반 PC SSD(솔리드스테이트드라이브) 양산 등을 꼽았다.

그러면서 "세계 IT업계에서의 위상을 더욱 굳건히 하기 위해 차세대 기술과 원천기술을 확보해 세계 산업 기술을 이끄는 진정한 선도기업이 되도록 최선을 다하고 있다"고 밝혔다.

SK하이닉스 또한 R&D 비용 부문에서 지난해 신기록을 달성했다.

SK하이닉스의 작년 R&D 비용은 전년(2조4870억 원)보다 16.4%나 늘어난 2조8950억 원으로, 3년 연속 2조 원대 지출을 이어갔다.

업계 관계자는 "최근 글로벌 메모리 반도체 시장이 하강국면으로 접어들었으나 두 회사의 선제적인 R&D 투자가 향후 중장기적인 경쟁력을 확보하는 데 결정적인 역할을 할 것"이라고 말했다.