삼성전자, 또 업계 최초 차세대 D램 개발…“DDR5 시장 선점 가속”

▲삼성 12나노급 16Gb DDR5. (사진제공=삼성전자)

삼성전자가 메모리반도체의 새로운 전환점으로 떠오른 ‘차세대 D램 시장’ 선점에 속도를 낸다.

삼성전자는 업계 최선단인 12나노급(5세대 10나노급) 공정으로 ‘16Gb(기가비트) DDR5 D램’을 개발했다고 21일 밝혔다. 최근 AMD와 함께 호환성 검증까지 마치면서 차세대 D램인 DDR5 시장 선도에 탄력을 받을 전망이다.

업계 관계자는 “D램, 낸드는 단독으로 사용할 수 없기 때문에 (PC용, 서버용) CPU에서 잘 작동하는지 확인을 해야 하는데 이 과정이 호환성 검사다”며 “삼성이 AMD와 호환성 검사를 마쳤다는 것은 AMD CPU에 자사의 DDR5 제품이 공급될 수 있다는 이야기”라고 설명했다.

DDR5는 기존 DDR4 대비 속도는 2배 이상 빠르고 전력 소모량은 10% 이상 낮아 DDR4를 대체할 차세대 D램으로 불린다. 특히 이 DDR5를 지원하는 서버용 CPU의 출시가 예고돼 반도체 업계의 경쟁이 치열한 상황이다.

AMD가 데이터센터에 사용되는 서버용 CPU인 ‘4세대 에픽’을 지난달 공개했다. AMD의 서버용 CPU가 출시한 다음 인텔 역시 내년 1월 서버용 CPU ‘사파이어래피즈’를 선보인다.

업계에서는 구글, 아마존, 메타 등 하이퍼스케일러(대형 데이터센터 업체)에서 서버용 CPU에 대한 교체 수요가 증가함에 따라 DDR5에 대한 판매 역시 크게 증가할 것으로 보고 있다.

시장조사기관 옴디아에 따르면 전체 D램 생산 중 내년 DDR5의 점유율은 20.1%로 DDR4 점유율을 역전하고 오는 2025년에는 40.5%까지 높아질 전망이다.

주요 반도체 기업들은 DDR5 시장의 본격 개화에 맞춰 최고 성능의 DDR5 개발을 앞다투고 있다.

▲삼성 12나노급 16Gb DDR5. (사진제공=삼성전자)

삼성전자에 따르면 이번 16Gb(기가비트) DDR5 D램 개발을 위해 유전율(K)이 높은 신소재 적용으로 전하를 저장하는 커패시터(Capacitor)의 용량을 높였다. 또 회로 특성 개선을 위한 혁신적인 설계 등을 통해 업계 최선단의 공정을 완성했다.

이와 함께 멀티레이어 EUV(극자외선) 기술을 활용해 업계 최고 수준의 집적도로 개발했으며 12나노급 D램은 이전 세대 제품 대비 생산성이 약 20% 향상됐다는 설명이다.

DDR5 규격의 이번 제품은 최대 동작 속도 7.2Gbps를 지원한다. 이는 1초에 30GB 용량의 UHD 영화 2편을 처리할 수 있는 속도다. 특히 이 제품은 이전 세대 제품보다 소비 전력이 약 23% 개선돼 기후 위기 극복에 동참하고 있는 글로벌 IT(정보통신) 기업들에 최상의 솔루션이 될 것으로 기대된다.

삼성전자는 성능과 전력 효율 개선을 통해 12나노급 D램 라인업을 확대해 나갈 계획이며 데이터센터ㆍ인공지능ㆍ차세대 컴퓨팅 등 다양한 응용처에 공급할 예정이다.

삼성전자는 내년부터 업계 최선단, 최고 성능의 12나노급 D램 양산에 나선다. 더불어 글로벌 IT기업들과 협력하며 차세대 D램 시장을 견인해 나갈 방침이다.

이주영 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장 부사장은 “업계 최선단 12나노급 D램은 본격적인 DDR5 시장 확대의 기폭제가 될 것”이라며 “차별화된 공정 기술력을 통해 개발된 이번 제품은 뛰어난 성능과 높은 전력 효율로 데이터센터ㆍ인공지능ㆍ차세대 컴퓨팅 등에서 고객의 지속 가능한 경영 환경을 제공하는데 기여할 것”이라고 말했다.