삼성전자, 美서 "초거대 AI 시대…HBM 등 신기술로 시장 선도"

▲10월 20일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 열린 '삼성 메모리 테크 데이 2023'에서 이정배 메모리사업부 사장이 발표를 하고 있다. (사진제공=삼성전자)

삼성전자가 초거대 인공지능(AI) 시대를 주도할 차세대 메모리 솔루션을 공개했다.

삼성전자는 20일(현지시간) 미국 실리콘밸리에 위치한 맥에너리 컨벤션 센터에서 글로벌 IT 고객과 파트너, 애널리스트 등 600여 명이 참석한 가운데 '삼성 메모리 테크데이 2023'을 개최했다고 21일 밝혔다.

'메모리 역할의 재정의'라는 주제로 열린 이번 행사에서는 이정배 삼성전자 메모리사업부 사장, 짐 엘리엇 미주총괄 부사장, 업계 주요 인사들이 반도체 시장의 트렌드와 주요 제품을 소개했다.

삼성전자는 이날 클라우드(Cloud), 에지 디바이스(Edge Devices), 차량(Automotive) 등 응용처별 기술 트렌드를 공유했다.

이정배 삼성전자 메모리사업부 사장은 "초거대 AI 시대는 기술 혁신과 성장의 기회가 교차하는 지점으로, 업계에 더 큰 도약과 함께 도전의 시간이 될 것"이라며 "무한한 상상력과 담대한 도전을 통해 혁신을 이끌고, 고객·파트너와의 밀접한 협력으로 한계를 뛰어넘는 확장된 솔루션을 제공해 메모리 시장을 지속 선도해 나갈 것"이라고 밝혔다.

또한 이 사장은 새로운 구조와 소재 도입을 통해 초거대 AI 시대에서 직면한 난제를 극복해 나가겠다고 강조했다. 차세대 11나노급 D램도 업계 최대 수준의 집적도를 목표로 개발 중이라고 했다.

삼성전자는 10나노 이하 D램에서 3D 신구조 도입을 준비하고 있다. 이를 통해 단일 칩에서 100Gb(기가비트) 이상으로 용량을 확장하기로 했다.

삼성전자는 9세대 V낸드에서 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수를 개발 중이다. 내년 초 양산을 위한 동작 칩을 성공적으로 확보한 상태다.

삼성전자는 셀의 평면적과 높이를 감소시켜 체적을 줄이고, 단수를 높이는 핵심 기술인 채널 홀 에칭으로 1000단 V낸드 시대를 준비해 나가겠다고 했다.

▲삼성전자 HBM3E D램. (사진제공=삼성전자)

삼성전자는 이번에 차세대 HBM3E D램 '샤인볼트(Shinebolt)'를 처음 공개했다. '샤인볼트'는 데이터 입출력 핀 1개당 최대 9.8Gbps의 고성능을 제공하며, 이는 초당 최대 1.2TB 이상의 데이터를 처리할 수 있는 속도다. 1.2TB는 30GB 용량의 UHD 영화 40편을 1초 만에 처리할 수 있는 속도다.

삼성전자는 NCF(Non-conductive Film) 기술 최적화를 통해 칩 사이를 빈틈없이 채워 고단 적층을 구현했으며, 열전도를 극대화해 열 특성 또한 개선했다.

삼성전자는 현재 HBM3 8단, 12단 제품을 양산 중이며, 차세대 제품인 HBM3E도 고객들에게 샘플을 전달하고 있다. 또한 차세대 HBM D램과 최첨단 패키지 기술, 파운드리까지 결합된 맞춤형 턴키 서비스도 제공할 예정이다.

삼성전자는 사용자 기기단에서 고성능·고용량·저전력·작은 폼팩터 등을 지원하는 솔루션도 공개했다. 특히 업계 최초로 개발한 7.5Gbps LPDDR5X CAMM2(Compression Attached Memory Module)은 차세대 PC·노트북 D램 시장의 판도를 바꿀 제품으로 참석자들의 이목을 집중시켰다.

삼성전자는 스토리지 가상화를 통해 하나의 SSD를 분할해 여러 개의 SoC가 사용할 수 있는 'Detachable AutoSSD(탈부착 가능한 차량용 SSD)'도 소개했다. 이 제품은 최대 6500MB/s의 연속 읽기 속도를 지원하며, 4TB 용량을 제공한다.

삼성전자 관계자는 "초저전력 기술 확보를 통해 데이터센터, PC·모바일 기기 등에서 사용되는 메모리의 전력 소비량을 절감하고, 포터블 SSD 내 재활용 소재 적용 등을 통해 탄소를 저감할 계획"이라며 "기술을 지속 가능하게 하는 기술을 통해 글로벌 기후위기 극복에 적극 동참하겠다"고 말했다.