효자템 ‘HBM’ 기술 개발 박차…SK하이닉스, 하반기도 AI 반도체로 순항

▲SK하이닉스 이천 본사 전경 (박민웅 기자 pmw7001@)

SK하이닉스는 하반기에도 인공지능(AI) 향 고부가 메모리 중심으로 생산을 지속적으로 늘리며 성장세를 이어나갈 계획이다. 특히 고대역폭 메모리(HBM) 시장을 선도하고 있는 만큼, 차세대 제품 개발에도 주력해 수요에 대응할 방침이다.

SK하이닉스는 25일 2분기 실적발표 컨퍼런스 콜에서 “HBM3E(5세대) 12단 제품은 이미 주요 고객에게 샘플을 제공했고, 이번 분기부터 양산을 시작해 4분기에는 고객에게 공급을 시작할 예정”이라고 밝혔다.

이로써 SK하이닉스는 HBM2E(3세대), HBM3(4세대), HBM3E 8·12단 등 모든 제품의 포트폴리오를 갖췄다. 이를 바탕으로 시장에서 경쟁 우위를 이어나간다는 전략이다.

SK하이닉스는 AI 반도체 시장의 80% 이상을 차지하고 있는 ‘큰손’ 엔비디아에 HBM3를 사실상 독점 공급해왔다. 올해 3월부터는 HBM3E 8단도 양산해 납품하고 있으며, 12단 제품도 3분기 내 양산할 예정이다.

SK하이닉스 관계자는 "HBM3E 12단 제품 수요는 내년 본격적으로 늘어날 것"이라며 "내년 상반기 중 HBM3E 12단 공급량이 8단 제품을 넘어설 것"이라고 전망했다.

특히 3분기에는 엔비디아가 차세대 그래픽처리장치(GPU) B100을 출시하는 만큼 이에 따른 낙수효과를 톡톡히 볼 것으로 보인다. 현재 엔비디아 주력 제품인 H100에는 HBM3이 5개, H200에는 HBM3E가 6개 각각 탑재된다. B100에는 HBM3E 탑재량이 8개로 대폭 늘어난다.

아울러 6세대인 HBM4부터는 철저한 고객 맞춤형 제품으로 제작할 계획이다. SK하이닉스는 향후 메모리 산업이 다품종 소량생산 구조로 변화해 고객이 원하는 제품을 장기간 공급하는 주문형 산업으로 진화할 것으로 내다보고 있다.

▲젠슨 황 엔비디아 CEO(왼쪽)과 만난 최태원 SK그룹 회장 (최태원 회장 SNS 캡쳐)

이에 SK하이닉스는 앞서 4월 글로벌 파운드리 1위인 대만의 TSMC와 기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 맺고, HBM4를 함께 개발하기로 했다. 구체적으로 HBM4에 들어가는 베이스 다이를 TSMC의 초미세 공정을 활용해 제작한다.

이를 통해 성능과 전력 효율을 높일 수 있을 뿐만 아니라 다양한 고객사의 니즈에 맞는 제품을 만들 수 있다. 또한 TSMC의 폭넓은 고객망을 통해 향후 고객사 확보에도 우위를 차지할 것으로 보인다.

SK하이닉스 관계자는 “내년 하반기 어드밴스드 MR-MUF를 적용한 HBM4 12단 제품을 출하할 예정”이라며 “2026년 수요가 발생할 16단 제품에는 더 많은 D램을 적층할 수 있는 하이브리드 본딩을 적용하는 방안도 고려하고 있다”고 설명했다.

시장조사업체 트렌드포스에 따르면 D램 시장에서의 HBM 매출 비중은 지난해 8.4%에서 올해 말 20.1%로, 2배 이상 늘어날 것으로 관측된다.

한편 SK하이닉스가 이번에 호실적을 기록하면서, 31일 예정된 삼성전자 2분기 실적발표에도 관심이 쏠린다. 앞서 이달 초 잠정 집계에서는 10조 원대의 영업이익을 내며 ‘어닝 서프라이즈(깜짝 실적)’를 기록했다.

삼성전자 역시 반도체 사업을 담당하는 DS 부문이 전체 영업이익의 60%(약 6조 원) 이상을 차지하면서 실적을 견인했을 것으로 보인다.

시장에서는 메모리 공급이 수요를 따라가지 못하면서 가격 상승세가 이어지고 있다. 2분기 D램 출하량은 전 분기 대비 3~6%, 평균판매단가(ASP)는 13~18% 상승했다. 낸드 역시 ASP가 15~20% 올랐다.