삼성전자, 3차원 반도체 시대 이끌 ‘TSV D램’ 8월 양산

▲삼성전자가 2011년 8월 업계 처음으로 '3D-TSV' 기술을 적용, 개발한 초고속 서버용 32GB D램 모듈. 삼성전자는 이르면 8월 본격 양산에 돌입한다.(사진제공=삼성전자)

14일 관련업계에 따르면, 삼성전자는 조속한 시점에 장비 도입을 마무리짓고 이르면 8월부터 TSV 공법을 적용한 D램 반도체의 양산에 돌입한다.

TSV는 웨이퍼와 웨이퍼, 칩과 칩을 쌓을 때 수직으로 관통하는 비아(via) 구멍을 형성해 전기적 신호 효율성을 높이는 차세대 반도체 패키징 기술이다. TSV를 적용하면 기존 방식보다 반도체 패키지 크기를 35%가량, 전력 소비를 절반 이상 줄일 수 있다.

TSV 기술은 동종 칩뿐 아니라 메모리반도체와 시스템반도체 등 이종칩 간 적층도 가능하도록 기술이 진화하고 있다. 삼성전자는 TSV 기술을 우선 동종칩 적층에 적용할 것으로 알려졌다. 업계 관계자는 “V-낸드를 시작으로 현재 반도체는 3차원 구조로 진화 중”이라며 “TSV 기술은 서버나 모바일 D램에서 우선적으로 진행될 것으로 보인다”고 말했다.

삼성전자는 이미 2011년 TSV 기술을 확보했다. 통상 기술 확보 이후 6개월~1년 내 양산이 가능하지만, TSV 반도체 수요가 없었던 탓에 삼성전자는 그동안 TSV 반도체 양산을 미뤄왔다. 삼성전자는 지난 5월 홍콩에서 개최된 ‘2014 투자자 포럼’에서 올해 중순 TSV를 적용한 반도체 양산에 돌입, 올 하반기부터 시장에서의 성과를 확인할 수 있을 것이라 밝힌 바 있다.

업계에서는 올해 말 이후 TSV 기술이 메모리반도체와 시스템반도체 등 이종칩 패키징에서 활용될 것으로 전망하고 있다. 한 증권사 애널리스트는 “향후 D램은 TSV 기술을 통해 AP(애플리케이션 프로세서) 등 시스템반도체나 다른 로직 제품과 직접 연결되는 방향으로 전개될 것”이라며 “TSV는 메모리와 비메모리를 하나의 칩으로 구현할 수 있기 때문에 메모리와 비메모리 반도체를 모두 보유힌 종합 반도체 기업인 삼성전자가 TSV 시장을 선도해 나갈 것”이라고 내다봤다.